УСТИНОВ Виктор Михайлович

УСТИНОВ Виктор Михайлович (р. 1.VII.1958) — российский физик, чл.-кор. РАН (2006). Р. в Ленинграде. Окончил Ленинградский электротехнический ин-т (1981). С 1981 в Физико-техническом ин-те им. А.Ф. Иоффе (заместитель директора по научной работе, заведующий лабораторией Физики полупроводниковых гетероструктур). Заведующий кафедрой Оптоэлектроники в СПбГЭТУ «ЛЭТИ». Директор ФГБУН Научно-технологического центра микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН. Канд. физ.-мат. наук (1986, «Электрофизические свойства арсенида галлия, арсенида галлия алюминия и гетероструктур с двумерным электронным газом на их основе, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии»). Д-р физ.-мат. наук (1999, «Гетероструктуры с квантовыми точками (получение, свойства, лазеры)»).
Специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур. 
Разработал технологию синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками и обнаружил ряд физических эффектов, уникальных для объектов с трехмерным квантованием носителей заряда.
Создал инжекционные полосковые и вертикально-излучающие лазеры на квантовых точках и исследовал их характеристики.
Разработал технологию синтеза новых полупроводниковых материалов - соединений арсенида индия галлия с азотом, исследовал зонную структуру, излучательную рекомбинацию, кластерообразование и др.
Создал диодные лазеры на основе InGaAsN.

Государственная премия РФ (2001, за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе»). Премия Правительства Санкт-Петербурга «за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2021 году» в номинации «нанотехнологии – премия им. Ж. И. Алферова» – за цикл работ «Полупроводниковые наногетероструктуры для СВЧ электроники».
Премия ленинградской комсомольской организации (1988, за работу "Разработка технологии получения методом молекулярно пучковой эпитаксии и исследование гетероструктур с квантоворазмерными эффектами"). Премия ФТИ (1988, за работу "Гетеролазеры на основе короткопериодных сверхрешеток"; 1996 за работу "Надбарьерный экситон: первое магнитооптическое исследование"; 2001 за работу "Динамика электронного спина в самоорганизованных квантовых точках"; 2002 за работу "Эффект спектрального гашения в полупроводниковых структурах с самоорганизованными квантовыми точками"; 2003 за работу "Соединения InGaAsN: синтез, свойства и лазеры ближнего ИК диапазона на их основе"; 2008, за работу "Гигантская спиновая поляризация электронов в полупроводнике, обусловленная спин-зависимой рекомбинацией"). Премия имени А.Ф. Иоффе (1999, за цикл работ "Получение методами самоорганизации и исследование гетероструктур с квантовыми точками").