ХАЙКИН Моисей Семенович

ХАЙКИН Моисей СеменовичХАЙКИН Моисей Семенович

ХАЙКИН Моисей Семенович (5.XII.1921 - 7.XII.1990) - российский физик, член-корреспондент РАН (1991). Сын С. Э. Хайкина. Племянник дирижёра Б.Э. Хайкина. Р. в Москве. В 1947 окончил МГУ. Ученик А.И. Шальникова и И.В. Обреимова. С 1945 работал в Ин-т физических проблем АН. Канд. дис. (1952) - "Измерение поверхностного сопротивления сверхпроводящего олова на частоте 9400 мегагерц". Докт. дис. (1962) - "Исследование свойств электронов проводимости металлов на сверхвысоких частотах". Проф. МГУ и МФТИ.

Первые работы посвящены исследованию СВЧ импеданса сверхпроводников. На основании этих исследований М.С. Хайкин реализовал первое серьезное техническое применение сверхпроводимости, создав высокодобротные резонаторы СВЧ и высокостабильный генератор на их основе с рекордной для своего времени стабильностью.
Провел систематические прецизионные исследования циклотронного резонанса в олове, индии, висмуте, свинце, алюминии (1959 - 1973 гг.), обнаружил и исследовал траекторные размерные эффекты отсекания циклотронного резонанса и скачка импеданса при равенстве диаметра орбиты электронов толщине образца (1961). На основе этих работ был получен важный для теории металлов результат — установлено, что поверхности Ферми имеют форму, близкую к модели почти свободных электронов, однако перенормируется.
Обнаружил зависимость перенормировки эффективной массы электронов от температуры из-за электрон-фононного взаимодействия (1970 —73).
Открыл (1960) магнитные поверхностные уровни, обязанные квантованию движения электронов по орбитам, "скачущим" по поверхности образца при зеркальном отражении. Установил осцилляторную зависимость поверхностного сопротивления металла от слабого магнитного поля. Детально изучил магнитоплазменные волны в висмуте (1963 - 65 гг.), прецизионную дилатометрию квантовых осцилляции размеров монокристаллов олова в условиях магнитного взаимодействия и магнитного пробоя (1972 - 74 гг.), обнаружил циклотронный резонанс на неэкстремальных орбитах (1973).
Провел исследования устойчивости заряженной поверхности жидкого гелия, впервые установил существование электронных поверхностных уровней над жидкими и твердыми водородом и неоном (1976 - 81).
Могила М.С. Хайкина на Донском кладбищеОбнаружил сверхпроводимость плоскости двойникования в металлах, в ряде случаев приводящая к значительному повышению температуры сверхпроводящего перехода (1978 - 83).
Инициатор работ по сканирующей туннельной микроскопии в СССР. Создал первый в стране сканирующий туннельный микроскоп оригинальной конструкции (1985) и применил его для измерения энергетической щели в высокотемпературных сверхпроводниках, ее зависимости от состава и технологии ВТСП (1987).
Исследовал излучение света при неупругом туннелировании, связанное с возбуждением поверхностных плазмонов в металлах и с переходами в спектрах молекул, помещенных на поверхности образца (1990).

Премия им. М.В. Ломоносова (1970).

Литература:
Памяти Моисея Семеновича Хайкина. // УФН, т. 161 вып. 6, стр. 211–213. 1991

Теги: