Основные ссылки

CSS adjustments for Marinelli theme

КОПЬЕВ Петр Сергеевич

КОПЬЕВ Петр СергеевичКОПЬЕВ Петр Сергеевич (р. 20.V.1946) – российский физик. Чл.-корр. РАН (2008).  Канд. физ.-мат. наук (1974, "Исследование излучательной рекомбинации в твердых растворах на основе широкозонных соединений типа AIIIBV"). Д-р физ.-мат. наук (1992, "Квантоворазмерные гетероструктуры в системе GaAs/AlGaAs : (Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)"). Профессор. Руководитель Центра Физики наногетероструктур, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Проф. БГТУ "Военмех".
Создал термодинамическое описание процессов роста, легирования и дефектообразования при МПЭ, позволяющее вырабатывать конкретные технологические рекомендации для получения структур с заданными свойствами.
Обнаружил разрушение минизоны в сверхрешетке в магнитном поле, параллельном плоскости слоев, экспериментально продемонстрированы δ-образный вид плотности состояний в структурах с квантовыми точками, впервые показано, что гибридизация электронных и дырочных состояний на гетеропереходе InAs/GaSb ответственна за осцилляции амплитуды и полуширины линий в спектрах ЦР.
Разработал конструкцию и технологию приборных структур с рекордными параметрами: в 1988  создал инжекционный лазер на основе короткопериодных сверхрешеток с рекордно низкой пороговой плотностью тока (43А/см2 при 300К), в 1994 впервые в мире создал инжекционный лазер на основе квантовых точек.
Создал структуры сине-зеленых (Zn,Mg)SSe/ZnCdSe лазеров, позволяющие получать большие мощности излучения (до 20 Вт) при оптическом и электронном возбуждении, а также гибридные структуры А2В6/ А3В5 для эффективной инжекции спинов.
В 2016 -2018 под его руководством разработана система передачи мощного СВЧ сигнала по оптоволокну.

Премия Ленинского комсомола (1976). Государственная премия РФ в области науки и техники (2001). Премия имени А.Ф. Иоффе Правительства Санкт-Петербурга (2013, за разработку метода молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии создания на его основе низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур)