НАСЛЕДОВ Дмитрий Николаевич

НАСЛЕДОВ Дмитрий НиколаевичНАСЛЕДОВ Дмитрий НиколаевичНАСЛЕДОВ Дмитрий Николаевич (12.VIII.1903 — 8.I.1975) — советский физик. Р. в Киеве. Окончил Киевский ун-т (1924). В 1924 — 30 работал в Украинском рентгенологическом ин-те, с 1930 — в Ленинградском физико-техническом ин-те и Политехническом ин-те (с 1934 — профессор).
Работы посвящены физике и технике полупроводников, физике твердого тела.
Провел широкие исследования соединений типа АIIIВV.
Разработал технологию получения монокристаллов арсенида галлия и арсенида индия и электронно-дырочных переходов на их основе, исследовал электрические, оптические, фотоэлектрические, люминесцентные свойства новых материалов.
Создал фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии с высоким КПД, высокочувствительные приемники излучения для различных областей спектра, туннельные диоды.
В 1962 указал на возможность стимулированного излучения из p-n-перехода в арсениде галлия и наблюдал его.
Был не только выдающимся ученым, организатором науки и создателем школы в области физики полупроводников, но и блестящим лектором и педагогом.
Ленинская премия (1964). Государственная премия СССР (1974).
Похоронен на Богословском кладбище в Санкт-Петербурге.

Информационные источники:

  1. Ф.П.Кесаманлы. Научная и педагогическая деятельность Дмитрия Николаевича Наследова.
  2. О.В. Емельяненко, Н.М. Колчанова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. Роль Дмитрия Николаевича Наследова в становлении и развитии физики и техники полупроводников AIIIBV. Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8

Теги: