ВАВИЛОВ Виктор Сергеевич

ВАВИЛОВ Виктор СергеевичВАВИЛОВ Виктор Сергеевич

ВАВИЛОВ Виктор Сергеевич (8.07.1921 – 25.1.1999). Советский физик. Р. в Москве. Сын С.И. Вавилова. После окончания средней школы в Ленинграде был призван на действительную военную службу, участвовал в финской компании 1939-1940 г. и в Великой Отечественной войне в блокадном Ленинграде. В 1949 году окончил физический факультет Ленинградского Университета. С 1949 по 1951 год работал в Государственном Оптическом институте в Ленинграде. С 1951 и до 1999 г. он работал в ФИАН им. П.Н. Лебедева, где возглавлял научный коллектив Лаборатории физики полупроводников. В 1961 году защитил докторскую диссертацию "Действие излучений на германий и кремний". С 1956 г. преподавал в МГУ (с 1961 по 1990 год – зав. кафедрой физики полупроводников.)

Основные научные работы связаны с исследованием процессов взаимодействия электромагнитного излучения и заряженных частиц высокой энергии с полупроводниками, включая радиационн ую ио низацию. Они посвящены свойствам неравновесной электронно-дырочной плазмы, люминесценции полупроводников, а также процессам образования и отжига радиационных дефектов, ионной имплантации и синтезу полупроводниковых соединений с использованием ускоренных ионов. Ряд работ в этом направлении были пионерскими и опережали аналогичные исследования за рубежом.
В 1950-х годах им совместно с Л.С. Смирновым, В.М. Пацкевичем и М.В. Чукичевым были проведены опыты позволившие определить энергию образования пары носителей заряда при торможении быстрых электронов, nоглощении и рассеянии гамма-излучения в германии и кремнии. Данные о зависимости энергии образования пар носителей от вида и энергии ионизирующих частиц послужили основой создания полупроводниковых детекторов; импульсное электронное возбуждение стало впоследствии одним из методов достижения режима генерации в полупроводниковых лазерах.
Значительная часть исследований B.C. Вавилова была посвящена оптическим процессам и фотоэлектрическому эффекту в полупроводниках. Обнаруженнное им и К.И. Брицыным в германии и кремнии возрастание квантового выхода фотоионизации до значений, превышающих единицу, было использовано для развития модели процессов ударной ионизации. Среди работ oтносящихся к оптическим явлениям в полупроводниках, проведенных B.C. Вавиловым, следует выделить экспериментальные исследования эффекта Келдыша-Франца в кремнии, в которых получены первые данные как о спектральной зависимости, так и кинетике данного явления. С исследованием явлений фотоионизации связан ряд pa6oт B.C. Вавилова, приведших к практическому осуществлению и внедрению в космическую энергетику отечественных кремниевых солнечных 6aтарей. Им обнаружено залечивающее действие примеси лития в кремнии на радиационные дефекты. Это позволило существенно продлить срок службы кремниевых солнечных батарей на спутниках.
ВАВИЛОВ Виктор Сергеевич

Могила С.И. и В.С. Вавилова на Новодевичьем кладбище в Москве

Им совместно с Г.Н. Галкиным и В.М. Маловецкой впервые предложен и осуществлен метод просветления поверхности солнечных батарей, широко применяемый в настоящее время. 

Большой цикл pa6oт В.С. Вавилова и его сотрудников посвящён изучению природы и устойчивости радиационных дефектов в германии, в кремнии и других полупроводниках. Предпринятые в ФИАНе B.C. Вавиловым и его аспирантами А.Ф. Плотниковым, И.П. Акимченко и В.Д. Ткачёвым исследования энергетического спектра радиационных дефектов методами анализа спектров и кинетики фотопроводимости явились новым этапом в изучении радиационных дефектов в полупроводниках. Выяснение процессов взаимодействия дефектов с примесями позволило B.C. Вавилову совместно с аспиранткой И.В. Крюковой и М.В. Чукичевым предложить и осуществить метод, позволяющий повысить радиационную стойкость путём введения в него легко подвижной примеси лития.
Цикл работ по радиационным дефектам был продолжен исследованиями реакций в кристаллах, стимулированных неравновесными подвижными междоузельными атомами и пустыми узлами - вакансиями. Именно эти работы заложили основу таких перспективных и популярных в настояшее время методов твердотельной электроннки как ионное и трансмутационное легирование и "лазерный" отжиг.
В последующие годы особое внимание в работах B.C. Вавилова было уделено вопросам излунательной рекомбинации при импульсном электронном возбуждении, которые привели к осуществлению лазерного режима в некоторых кристаллах полупроводников AIIBVI. В дальнейшем, помимо исследований люминесценции сильно возбужденных полупроводников, были предприняты дополнительные эксперименты (определение сечений поглощения света свободными носителями; выяснение влияния неравновесной плазмы на оптические параметры возбужденного кристалла). Результаты этих исследований, а гакже изучение ударной рекомбинации (процессы Оже), проведённые B.C. Вавиловым, Г.Н. Галкиным и аспирантом Л.M. Блиновым, опередили аналогичные исследования за рубежом (в Германии и Швеции).
Памятная доска на могиле С.И. и В.С. Вавиловых на Новодевичьем кладбище в МосквеB.C. Вавилов с Г.Н. Галкиным и M.E. Епифановым обнаружили явление интенсивного фотонного переноса в арсениде галлия. Meтод исследования явлений поглощения и фотоионизации в далекой инфракрасной области, предложенный B.C. Вавиловым и примененный им совместно с В.Н. Мурзиным и В.А. Зайцем для изучения экситонов и неравновесной плазмы в германии при низких температурах, позволил получить новые данные об знергетическом спектре экситонов и явлениях и конденсации в сильно возбужденных полупроводниках.
В.С. Вавилов был одним из инициаторов работ по использованию свойств алмаза и перспектив его применения в электронике. B.C. Вавиловым совместно с сотрудниками методом ионной имплантации были созданы устойчивые полупроводниковые слои с дырочной и электронной проводимостью вблизи поверхности изолирующих кристаллов алмаза, а также получены слои карбида кремния на алмазе.

В.С. Вавилов вел большую научно-организационную работу как председатель Секции физики ионной имплантации Научного совета АН СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников" и как ученый секретарь Комиссии по присуждению Золотой медали им. П.Н.Лебедева при президиуме АН СССР.

Гос. премия СССР (1971, 1988), премия Совета Министров СССР (1986), "Заслуженный деятель науки и техники РСФСР" (1983), золотая медаль им. П.Н. Лебедева (АН СССР, 1987).

Теги: