РАШБА Эммануил Иосифович

РАШБА Эммануил ИосифовичРАШБА Эммануил ИосифовичРАШБА Эммануил Иосифович (р. 30.X.1927) – советский (украинский, российский) и американский физик. Р. в Киеве. Окончил физический факультет Киевского университета (1949). Ученик С.И. Пекара и А.С. Давыдова. В 1949-54 работал инженером и учителем в школе. В 1954-60 научный сотрудник в Институте физики АН УССР. с 1956 кандидат наук. В 1960-66 зав. отделом в Институте полупроводников АН УССР. В 1966-92 годах — заведующий теоретическим отделением отдела полупроводников Института теоретической физики имени Л. Д. Ландау. Одновременно в 1967-91 профессор МФТИ. Доктор физико-математических наук (1964), профессор (1967). С 1991 – в США. Работал в городском колледже Нью-Йорка, в Университете штата Юта (1992-99), в Университете штата Нью-Йорк в Буффало (2001-2004). В 2000-2004 работал в MIT. Одновременно в 2000-2003 – проф. Дартмутского колледжа, в 2007-10 – Резерфордовский проф. Ун-та в Лафборо, Великобритания. В 2004-15 – проф. Гарвардского ун-та. Чл. американского физического общества.
С К. Б. Толпыго развивал теорию переноса носителей тока в полупроводниках. Одним и важных результатов, полученных в этих работах, было построение вольтамперной характериститки выпрямляющих диодов и p-n-переходов в пределе больших смещений (ток пропорционален квадрату приложенного напряжения – т.н. «закон Рашбы-Толпыго-Носаря»).
РАШБА Эммануил ИосифовичЗанимался теоретическим изучением экситонов (канд. физ.-мат. наук, "Теория сильного взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки в молекулярных кристаллах", 1956). 
Построил теорию слабо связанных локализованных экситонов.
Предсказал резонансный эффект, состоящий в возбуждении спиновых переходов ВЧ электрическим полем (эффект Рашбы). Работы по спин-орбитальному взаимодействию оказали значительное влияние на развитие физики полупроводников и гетероструктур, а его основная статья является одной из самых цитируемых до настоящего времени.
Установил возможность существования нового типа зонной структуры полупроводников.
С сотр. предсказал размерные эффекты, связанные с рекомбинационной длиной в биполярных материалах, с междолинной релаксационной длиной в многодолинных полупроводниках, с длиной остывания носителей разогретых электрическим полем и т.д., в частности, электрический пинч-эффект а анизотропных материалах – контролируемое полем накопление электронов и дырок у одной из поверхностей полупроводника.
Автор работ по спектроскопии молекулярных кристаллов.
В последние годы занимался проблемами спинтроники ифизики наносистем.

Ленинская пр. (1966). Премия АН СССР им. А. Ф. Иоффе (1987). Премия С.И.Пекара (2007, Украина). Премия Н. Мотта (2005, Великобритания). Премия А.Аронова (2005, Израиль).

Информационные источники:
Э.И. Рашба

Теги: